Epitassia a fascio molecolare: Fondamenti e stato attuale

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Titolo originale:

Molecular Beam Epitaxy: Fundamentals and Current Status

Contenuto del libro:

Da quando Cho e Arthur utilizzarono per la prima volta con successo un apparato a fascio molecolare per cristallizzare e studiare gli epilayer di GaAs, le tecniche di crescita epitassiale in alto vuoto con fasci di particelle si sono sviluppate rapidamente. Questo sviluppo si è accelerato quando negli anni '70 sono stati inventati diversi dispositivi a semiconduttore con strutture a pozzo quantico.

L'importante implementazione di queste strutture in dispositivi come i laser a pozzo quantico, i transistor ad alta mobilità di elettroni o i fotodiodi a valanga a superlattice ha dato ulteriore impulso al lavoro di ricerca e all'aumento degli obiettivi di produzione. In concomitanza con questo sviluppo, anche i lavori di ricerca originali e le recensioni dedicate ai problemi relativi a queste tecniche di crescita sono rapidamente cresciuti di numero, diventando inoltre molto diversificati. Attualmente, ogni anno sono disponibili in letteratura diverse centinaia di articoli originali su questo argomento.

Tuttavia, mancano monografie complete che comprendano l'intera varietà di problemi legati alla crescita epitassiale di film di semiconduttori da fasci atomici e molecolari. Questo libro, che presenta una rassegna dello stato dell'arte dell'epitassia a fascio molecolare (MBE), applicata alla crescita di film di semiconduttori e di strutture multistrato, può servire al lettore come comoda guida generale agli argomenti relativi a questa tecnica di cristallizzazione".