Bipola a etero-giunzione di silicio e germanio

Recensioni dei lettori

Il libro è consigliato agli studenti di fisica dei semiconduttori e fornisce discussioni approfondite sugli HBT SiGe, sul rumore, sulla linearità e sugli argomenti a livello di circuito. Tuttavia, potrebbe non essere adatto ai progettisti di circuiti che preferiscono approcci diversi per l'analisi delle non linearità.

Approfondita trattazione della fisica dei semiconduttori, autorevole sugli HBT SiGe, include discussioni dettagliate su rumore e linearità, tecniche di misura pratiche, adatto a studenti e ingegneri di livello superiore.

Non adatto ai progettisti di circuiti che non amano la serie di Volterra per l'analisi delle non linearità, non ha una lunghezza sufficiente per una trattazione completa.

(basato su 2 recensioni dei lettori)

Titolo originale:

Silicon-Germanium Heterojunction Bipola

Contenuto del libro:

Questa risorsa fornisce agli ingegneri una trattazione completa dei transistor bipolari a etero-giunzione silicio-germanio (SiGe HBT), una tecnologia a semiconduttori che si prevede rivoluzionerà l'industria delle comunicazioni offrendo soluzioni a basso costo e ad alta velocità per le esigenze di comunicazione emergenti.

Il testo offre a professionisti e studenti una conoscenza approfondita dei dispositivi e della tecnologia SiGe HBT da una prospettiva molto ampia. Il testo copre le motivazioni, la storia, i materiali, la fabbricazione, la fisica dei dispositivi, i principi operativi e le proprietà a livello di circuito associate al SiGe.

Questo riferimento spiega come progettare, simulare, fabbricare e misurare un HBT SiGe e offre una comprensione dei problemi di ottimizzazione e dei compromessi progettuali degli HBT SiGe e dei circuiti RF/microonde realizzati con questa nuova tecnologia.