Simulazione TCAD 3D per dispositivi nanoeletronici CMOS

Recensioni dei lettori

Attualmente non ci sono recensioni dei lettori. La valutazione si basa su 2 voti.

Titolo originale:

3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices

Contenuto del libro:

Introduzione all'interfaccia operativa e agli strumenti dell'ambiente software Synopsys Sentaurus TCAD versione 2014.

- Analisi di simulazione di MOSFET 2D. - Analisi di simulazione di FinFET 3D con LG = 15 nm.

- Analisi di simulazione di inverter e SRAM di 3D FinFET con LG = 15 nm. - Analisi di simulazione di GAA NWFET. - Analisi di simulazione di FET senza giunzioni con LG = 10 nm.

- Analisi di simulazione di FET a tunnel. - Analisi di simulazione di FinFET 3D in Si e Ge con LG = 3 nm.