Silicio su isolatore completamente impoverito: Nanodispositivi, meccanismi e caratterizzazione

Titolo originale:

Fully Depleted Silicon-On-Insulator: Nanodevices, Mechanisms and Characterization

Contenuto del libro:

Fully Depleted Silicon-On-Insulator presenta in modo approfondito i concetti fondamentali e pragmatici di questa tecnologia sempre più importante.

Nel mercato dei circuiti CMOS avanzati esistono due tecnologie principali: I FinFET e il silicio su isolante completamente impoverito (FD-SOI). Quest'ultima è incontrastata nel campo dei circuiti a bassa potenza, ad alta frequenza e dell'Internet of Things (IOT). L'argomento è molto attuale a livello di ricerca e sviluppo. Rispetto ai libri esistenti sui materiali e sui dispositivi SOI, questo libro copre in modo esaustivo il dominio FD-SOI.

Fully Depleted Silicon-On-Insulator si basa sull'esperienza di una delle persone più eminenti della comunità, il dottor Sorin Cristoloveanu, vincitore del premio IEEE Andrew Grove 2017 "Per i contributi alla tecnologia silicon-on-insulator e ai dispositivi a corpo sottile". Nel libro, il dott. Cristoloveanu condivide le principali intuizioni sugli aspetti tecnologici, i meccanismi di funzionamento, le tecniche di caratterizzazione e le applicazioni emergenti più promettenti.

Elogi per il Fully Depleted Silicon-On-Insulator "È un'eccellente guida scritta per tutti coloro che desiderano studiare a fondo il SOI, con particolare attenzione all'FD-SOI." -- Dr. Katsu Izumi, ex NTT Laboratories e poi Osaka Prefecture University, Giappone.

"La tecnologia FDSOI è pronta a conquistare una fetta sempre più ampia del mercato dei semiconduttori. Questo libro si inserisce perfettamente in questo nuovo paradigma (... ) Copre molti argomenti SOI che non sono mai stati descritti in un libro prima d'ora." -- Professor Jean-Pierre Colinge, ex TSMC e poi CEA-LETI, Grenoble, Francia.

"Questo libro, scritto da uno dei veri esperti e pionieri nel campo del silicio su isolante, è estremamente tempestivo a causa della crescente importanza dell'FD-SOI nella moderna tecnologia del silicio, soprattutto nelle applicazioni IoT. Scritto in uno stile deliziosamente informale ma esaustivo, il libro descrive sia la fisica dei dispositivi alla base della tecnologia FD-SOI sia i dispositivi all'avanguardia, forse addirittura futuristici, da essa abilitati." -- Professor Alexander Zaslavsky, Brown University, USA.

"Un libro superbamente scritto sulla tecnologia SOI da un maestro del settore." -- Professor Yuan Taur, Università della California, San Diego, USA.

"L'autore è uno dei massimi ricercatori mondiali di tecnologia dei dispositivi/processi SOI. Questo libro è il suo capolavoro ed è importante per l'archivio FD-SOI. Il lettore imparerà molto dal libro." -- Professor Hiroshi Iwai, Università Nazionale Yang Ming Chiao Tung, Taiwan.

Dall'autore "È durante la nostra guerra globale contro la terrificante coalizione di corona e insidiosi virus informatici che questo libro è stato messo insieme. L'illuminazione continua di FD-SOI mi ha aiutato ad attraversare questo periodo nero e grigio. In questo libro ho condiviso molto di me stesso. La regola del gioco è stata quella di mantenere il testo leggero nonostante il pesante contenuto tecnico. Sulla copertina ci sono persino dei geroglifici FD-SOI, composti da curve discusse nel libro".