Semiconduttori a banda larga dirompenti, tecnologie correlate e loro applicazioni

Titolo originale:

Disruptive Wide Bandgap Semiconductors, Related Technologies, and Their Applications

Contenuto del libro:

I dispositivi SiC e GaN esistono da tempo. La prima conferenza internazionale dedicata ai dispositivi SiC e correlati, “ICSCRM”, si è tenuta a Washington nel 1987.

Ma solo di recente si è assistito alla commercializzazione di dispositivi SiC e GaN. A causa delle sue proprietà materiali, il Si come semiconduttore ha dei limiti nei regimi di alta temperatura, alta tensione e alta frequenza. Con l'aiuto dei dispositivi SiC e GaN, è possibile realizzare sistemi di potenza più efficienti.

I dispositivi realizzati in SiC e GaN hanno già avuto un impatto su diversi settori grazie alla loro capacità di superare i dispositivi Si. Alcuni esempi sono i settori delle telecomunicazioni, dell'automotive, dell'energia e delle energie rinnovabili.

Per raggiungere gli obiettivi di emissione di carbonio fissati da diversi Paesi, è inevitabile utilizzare queste nuove tecnologie. Questo libro cerca di coprire tutti gli aspetti importanti relativi alla tecnologia dei semiconduttori a banda larga, comprese le nuove sfide che essa pone.

Questo libro è destinato a studenti laureati, ricercatori, ingegneri ed esperti di tecnologia che hanno lavorato negli entusiasmanti campi dei dispositivi di potenza SiC e GaN.