Progettazione di un LNA con tecnologia CMOS da 0,18 um per il front-end del ricevitore

Titolo originale:

Design of LNA using 0.18 um CMOS Technology for Receiver Front End

Contenuto del libro:

Come circuito distinto nel front-end del ricevitore, l'LNA deve avere un alto guadagno e un basso rumore. Questo lavoro include i risultati della simulazione della topologia differenziale e del circuito migliorato.

Il lavoro è stato svolto per una gamma di frequenze compresa tra 2,45 GHz e 2,85 GHz con una frequenza centrale di 2,65 GHz. Questo lavoro dimostra anche la necessità di progettare induttori e condensatori on-chip, poiché questi occupano un'area di silicio molto ampia. I risultati finali della simulazione mostrano che il guadagno ottenuto è sufficiente a ridurre la figura di rumore dei circuiti successivi nel front-end del ricevitore.

Oltre al guadagno di tensione e di potenza, sono state eseguite simulazioni anche per GA, Gt ecc. È stato inoltre mostrato l'effetto dei parametri di progetto Lg e Ld, rispettivamente per il rumore e Gian.

Alla fine è stato incluso un layout dettagliato dell'induttore, in modo da mostrare la quantità di area di silicio che occupa. Il lavoro futuro prevede quindi la progettazione di induttori e condensatori on-chip.