Progettazione di componenti basati su GaN e applicazione all'antenna ad alta potenza

Titolo originale:

Design of GaN-based components and application to high-power antenna

Contenuto del libro:

Questo lavoro dimostra la fattibilità dell'uso della tecnologia del nitruro di gallio (GaN) nei sistemi RF riconfigurabili.

I diodi varactor e i circuiti di commutazione basati su GaN sono considerati candidati promettenti per applicazioni ad alta potenza/alta frequenza. La prima parte è dedicata allo sviluppo di dispositivi GaN attivi.

I componenti attivi sono stati realizzati utilizzando il processo HEMT GaN del National Research Council (NRC) canadese. Sulla base di tre processi, quali GaN150v0 (lunghezza del gate di 0,15um), GaN500v1 e GaN500v2 (entrambi con lunghezza del gate di 0,5um), sono stati prodotti molti diodi varactor di dimensioni diverse e caratterizzati mediante misure a piccolo e grande segnale in CC e RF. Successivamente, i diodi varactor sono stati modellati mediante equazioni analitiche contenenti coefficienti empirici.

Queste espressioni sono state introdotte per la prima volta per la dipendenza dalla tensione della capacità equivalente (CEq) e della resistenza in serie (REq) e possono essere utilizzate come modello generale per rappresentare il comportamento non lineare dei varattori basati su GaN. Per il funzionamento a piccolo segnale, tutte le equazioni sviluppate che descrivono REq e CEq dipendono solo dalla tensione di polarizzazione e dalla geometria del dispositivo.