Ottimizzazione della lucidatura chimico-meccanica per 4H-Sic

Titolo originale:

Chemical Mechanical Polishing Optimization for 4H-Sic

Contenuto del libro:

Per i substrati utilizzati nella crescita epitassiale sono necessarie superfici prive di graffi. Il carburo di silicio (SiC) è un materiale di substrato utilizzato per la crescita epitassiale di dispositivi elettronici in SiC, GaN e InGaN.

Sono stati eseguiti studi preliminari di lucidatura chimico-meccanica (CMP) di wafer 4H-SiC da 1 3/8” nel tentativo di identificare i valori dei parametri di lucidatura che consentono di ottenere il massimo tasso di rimozione del materiale e quindi di ridurre il tempo di lucidatura del substrato. Studi precedenti hanno riportato un aumento del tasso di rimozione del materiale associato all'aumento della temperatura di lucidatura, del pH dell'impasto, della pressione e della velocità del tampone di lucidatura. Nello studio attuale, gli effetti della temperatura, del pH dell'impasto, della pressione di lucidatura e della velocità del tampone di lucidatura sono stati esaminati in modo indipendente, mantenendo costanti gli altri parametri di lucidatura.

I tassi di rimozione del materiale sono stati determinati utilizzando le misurazioni della massa del wafer prima e dopo la lucidatura. Sono state ottenute fotografie in punti specifici del wafer prima e dopo ogni periodo di lucidatura e sono state confrontate con i tassi di rimozione calcolati.