Nanostrutture di silicio-germanio (Sige): Produzione, proprietà e applicazioni in elettronica

Titolo originale:

Silicon-Germanium (Sige) Nanostructures: Production, Properties and Applications in Electronics

Contenuto del libro:

Le nanostrutture di silicio-germanio (SiGe) aprono prospettive di nuove e migliori prestazioni dei dispositivi elettronici, in particolare per i dispositivi a semiconduttore. Nanostrutture di silicio-germanio (SiGe) passa in rassegna la scienza dei materiali delle nanostrutture e le loro proprietà e applicazioni in diversi dispositivi elettronici.

La prima parte introduttiva copre le proprietà strutturali delle nanostrutture di SiGe, con un ulteriore capitolo che tratta le strutture a bande elettroniche delle leghe di SiGe. La seconda parte si concentra sulla formazione delle nanostrutture di SiGe, con capitoli sui diversi metodi di crescita dei cristalli, come l'epitassia a fascio molecolare e la deposizione da vapore chimico. Questa parte comprende anche capitoli sull'ingegneria della deformazione e sulla modellazione. La terza parte tratta le proprietà materiali delle nanostrutture di SiGe, con capitoli su argomenti quali i difetti indotti dalla deformazione, le proprietà di trasporto, le microcavità e le strutture laser a cascata quantistica. Nella quarta parte vengono discussi i dispositivi che utilizzano le leghe di SiGe. I capitoli riguardano le applicazioni integrate su larghissima scala, i MOSFET e l'uso del SiGe in diversi tipi di transistor e dispositivi ottici.

Grazie ai suoi illustri redattori e al team di collaboratori internazionali, Silicon-germanium (SiGe) nanostructures è un riferimento standard per i ricercatori che si occupano di dispositivi e materiali semiconduttori nell'industria e nel mondo accademico, in particolare per coloro che sono interessati alle nanostrutture.

⬤ Rivede la scienza dei materiali delle nanostrutture e le loro proprietà e applicazioni in diversi dispositivi elettronici.

⬤ Valuta le proprietà strutturali delle nanostrutture di SiGe, discutendo le strutture a bande elettroniche delle leghe di SiGe.

⬤ Esplora la formazione di nanostrutture di SiGe con diversi metodi di crescita dei cristalli, come l'epitassia a fascio molecolare e la deposizione da vapore chimico.