Moderni dispositivi di potenza al carburo di silicio

Moderni dispositivi di potenza al carburo di silicio (Jayant Baliga B.)

Titolo originale:

Modern Silicon Carbide Power Devices

Contenuto del libro:

I dispositivi di potenza al carburo di silicio sono sempre più adottati per molte applicazioni come i veicoli elettrici e le stazioni di ricarica.

C'è una grande richiesta di una risorsa per imparare e comprendere la fisica di base del funzionamento di questi dispositivi per creare ingegneri con una conoscenza approfondita su di essi. Questo compendio, unico nel suo genere, fornisce una guida completa alla progettazione di dispositivi di potenza al carburo di silicio.

Descrive sistematicamente le strutture dei dispositivi e i modelli analitici per il calcolo delle loro caratteristiche. I dispositivi inclusi sono il diodo Schottky, il raddrizzatore JBS, il MOSFET di potenza, il JBSFET, l'IGBT e il BiDFET. Vengono sottolineate le strutture uniche che consentono di ottenere un eccellente blocco della tensione e una resistenza di accensione.

Questo utile libro di testo e di riferimento contiene innovazioni per ottenere un funzionamento superiore ad alta frequenza e mette in evidenza la tecnologia di produzione dei dispositivi. Il libro sarà utile a professionisti, accademici, ricercatori e studenti laureati nei campi dell'ingegneria elettrica ed elettronica, dei circuiti e dei sistemi, dei semiconduttori e degli studi sull'energia.

Altre informazioni sul libro:

ISBN:9789811284274
Autore:
Editore:
Lingua:inglese
Rilegatura:Copertina rigida
Anno di pubblicazione:2023
Numero di pagine:672

Acquisto:

Attualmente disponibile, in magazzino.

Lo compro!

Altri libri dell'autore:

Fondamenti dei dispositivi a semiconduttore di potenza - Fundamentals of Power Semiconductor...
Fundamentals of Power Semiconductor Devices...
Fondamenti dei dispositivi a semiconduttore di potenza - Fundamentals of Power Semiconductor Devices
Dispositivi di potenza al nitruro di gallio e al carburo di silicio - Gallium Nitride and Silicon...
Negli ultimi 30 anni sono stati compiuti progressi...
Dispositivi di potenza al nitruro di gallio e al carburo di silicio - Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Devices
Il dispositivo IGBT: Fisica, progettazione e applicazioni del transistor bipolare a porta isolata -...
Il dispositivo IGBT: Physics, Design and...
Il dispositivo IGBT: Fisica, progettazione e applicazioni del transistor bipolare a porta isolata - The IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor
Dispositivi di potenza al carburo di silicio - Silicon Carbide Power Devices
I dispositivi a semiconduttore di potenza sono ampiamente...
Dispositivi di potenza al carburo di silicio - Silicon Carbide Power Devices
Dispositivi di potenza a semiconduttore a banda larga: Materiali, fisica, progettazione e...
Dispositivi di potenza a semiconduttore ad ampio...
Dispositivi di potenza a semiconduttore a banda larga: Materiali, fisica, progettazione e applicazioni - Wide Bandgap Semiconductor Power Devices: Materials, Physics, Design, and Applications
Moderni dispositivi di potenza al carburo di silicio - Modern Silicon Carbide Power...
I dispositivi di potenza al carburo di silicio...
Moderni dispositivi di potenza al carburo di silicio - Modern Silicon Carbide Power Devices
Concetti avanzati di Mosfet di potenza - Advanced Power Mosfet Concepts
Nell'ultimo decennio sono stati proposti molti nuovi concetti per migliorare le...
Concetti avanzati di Mosfet di potenza - Advanced Power Mosfet Concepts

Le opere dell'autore sono state pubblicate dai seguenti editori:

© Book1 Group - tutti i diritti riservati.
Il contenuto di questo sito non può essere copiato o utilizzato, né in parte né per intero, senza il permesso scritto del proprietario.
Ultima modifica: 2024.11.08 20:28 (GMT)