Gestione termica dell'elettronica al nitruro di gallio

Titolo originale:

Thermal Management of Gallium Nitride Electronics

Contenuto del libro:

Thermal Management of Gallium Nitride Electronics illustra gli approcci tecnici intrapresi dai leader della comunità, le sfide affrontate e i conseguenti progressi nel campo. Questo libro è un riferimento unico per i ricercatori di dispositivi a semiconduttore composto incaricati di risolvere questa sfida ingegneristica per i futuri sistemi materiali basati su semiconduttori a banda ultra larga.

Sono incluse diverse prospettive, come i metodi di crescita del diamante nanocristallino, l'integrazione dei materiali del diamante policristallino attraverso l'incollaggio dei wafer e la nuova fisica del trasporto termico attraverso le interfacce eterogenee. Negli ultimi 10 anni, gli autori del libro hanno condotto esperimenti pionieristici sull'integrazione di strati di rivestimento in diamante nanocristallino nel processo di fabbricazione di dispositivi a semiconduttore composto. Da allora, diversi gruppi hanno condotto ricerche significative sull'integrazione di diamante e GaN, che hanno portato a opzioni di gestione termica attiva che non comportano necessariamente un declassamento delle prestazioni per evitare l'autoriscaldamento durante il funzionamento a radiofrequenza o a commutazione di potenza di questi dispositivi.

L'autoriscaldamento si riferisce all'aumento della temperatura del canale causato da un maggiore trasferimento di energia dagli elettroni al reticolo ad alta potenza. Questo libro racconta queste scoperte.