Fondamenti degli amplificatori a transistor a radiofrequenza e a microonde

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Fondamenti degli amplificatori a transistor a radiofrequenza e a microonde (Inder Bahl)

Recensioni dei lettori

Riepilogo:

Il libro è apprezzato per la copertura completa della progettazione di amplificatori a radiofrequenza e microonde, adatta sia ai principianti che agli ingegneri esperti. Tuttavia, è considerato un po' datato, soprattutto per quanto riguarda la trattazione delle nuove tecnologie di amplificatori di potenza.

Vantaggi:

Copre un'ampia gamma di argomenti sulla progettazione di amplificatori, dalle basi al materiale avanzato.
Fornisce applicazioni pratiche e molti esempi di lavoro.
Presenta materiale accessibile senza essere eccessivamente semplicistico o estremamente rigoroso in matematica.
Funziona come un solido riferimento per la progettazione di RF e microonde.

Svantaggi:

Alcune formule sono presentate senza prove, il che può ostacolare la comprensione.
Il libro è obsoleto e pone una forte enfasi sui dispositivi GaAs, mancando la copertura del GaN e delle tecnologie più recenti.
Alcune sezioni possono essere difficili da seguire o da verificare, confondendo potenzialmente i lettori.

(basato su 7 recensioni dei lettori)

Titolo originale:

Fundamentals of RF and Microwave Transistor Amplifiers

Contenuto del libro:

Comprende ampie informazioni di progettazione sotto forma di equazioni, tabelle, grafici ed esempi.

Offre uno studio approfondito degli amplificatori. Sono incluse semplici equazioni di progettazione per aiutare a comprendere i concetti di progettazione.

Esempi pratici e semplici da capire, con oltre 70 esempi completamente risolti.

Altre informazioni sul libro:

ISBN:9780470391662
Autore:
Editore:
Lingua:inglese
Rilegatura:Copertina rigida
Anno di pubblicazione:2009
Numero di pagine:696

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Ultima modifica: 2024.11.08 20:28 (GMT)