Film sottili di nitruro di alluminio - Deposizione per la fabbricazione, la caratterizzazione e la realizzazione di dispositivi per onde acustiche di superficie

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Film sottili di nitruro di alluminio - Deposizione per la fabbricazione, la caratterizzazione e la realizzazione di dispositivi per onde acustiche di superficie (Charlee Fansler)

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Titolo originale:

Aluminum Nitride Thin Films - Deposition for Fabrication, Characterization and Fabrication of Surface Acoustic Wave Devices

Contenuto del libro:

I film sottili di nitruro di alluminio (AlN) possono essere utilizzati per molte applicazioni di dispositivi; ad esempio, dispositivi per onde acustiche superficiali (SAW), applicazioni per sistemi microelettromeccanici (MEMS) e applicazioni di imballaggio. In questo lavoro, l'AlN è lo strato critico nel processo di fabbricazione.

Una sfida è rappresentata dalla deposizione affidabile su substrati delle dimensioni di un wafer. Il metodo di interesse per la deposizione è lo sputtering DC pulsato. Il piano (002) è quello desiderato per le sue proprietà piezoelettriche.

La rugosità superficiale dell'AlN depositato è bassa e aderisce bene al substrato. Uno strato di AlN è stato depositato su un substrato UNCD/Si.

Sullo strato di AlN è stato depositato Al per formare gli IDT (trasduttori interdigitali) per i dispositivi SAW. I dispositivi SAW sono stati fabbricati su substrato di quarzo - ST. Per verificare il funzionamento dei dispositivi SAW, sono stati testati con un analizzatore di rete.

Questo libro discute questi risultati e i parametri per la deposizione del film di AlN, le proprietà del film e le implicazioni per i dispositivi. Questo libro sarebbe utile per i professionisti, gli scienziati, gli ingegneri e gli studenti laureati in scienze e ingegneria che lavorano nei settori dei semiconduttori ad ampio bandgap, dei nitruri e dei materiali piezoelettrici e dei vari dispositivi a onde acustiche.

Altre informazioni sul libro:

ISBN:9783836469722
Autore:
Editore:
Lingua:inglese
Rilegatura:Copertina morbida

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Ultima modifica: 2024.11.08 20:28 (GMT)