Effetti delle radiazioni nel carburo di silicio

Titolo originale:

Radiation Effects in Silicon Carbide

Contenuto del libro:

Il libro passa in rassegna le pubblicazioni più interessanti, a parere dell'autore, riguardanti i difetti da radiazione che si formano nel 6H-, 4H- e 3C-SiC sotto l'irradiazione di elettroni, neutroni e alcuni tipi di ioni. All'inizio vengono discussi i parametri elettrici del SiC che rendono questo materiale promettente per l'applicazione nell'elettronica moderna. Vengono inoltre considerate le caratteristiche specifiche della struttura cristallina del SiC. Si dimostra che, quando si studiano i semiconduttori ad ampio bandgap, è necessario tenere conto della dipendenza dalla temperatura del tasso di rimozione dei portatori (ηe), che è un parametro standard per determinare la durezza alle radiazioni dei semiconduttori. I valori di ηe ottenuti per irraggiamento di vari politipi di SiC con conducibilità di tipo n e p sono analizzati in relazione al tipo e all'energia delle particelle irraggianti. Vengono considerati i possibili meccanismi fisici di compensazione del materiale in questione. Viene analizzata l'influenza esercitata dall'energia delle particelle cariche sulle modalità di formazione dei difetti da radiazione e di compensazione della conduttività nei semiconduttori sottoposti a irraggiamento.

Inoltre, si considera la possibilità di produrre una trasformazione controllata del politipo del carburo di silicio. Viene analizzato il coinvolgimento dei difetti da radiazione nei processi di ricombinazione radiativa e non radiativa nel SiC.

Vengono inoltre presentati i dati relativi alla degradazione di particolari dispositivi elettronici in SiC sotto l'influenza delle radiazioni e si giunge a una conclusione sulla resistenza alle radiazioni del SiC. Infine, viene confrontata la durezza alle radiazioni di dispositivi basati sul silicio e sul carburo di silicio.