Dispositivi basati su un ampio bandgap: Progettazione, fabbricazione e applicazioni

Titolo originale:

Wide Bandgap Based Devices: Design, Fabrication and Applications

Contenuto del libro:

I semiconduttori emergenti ad ampio bandgap (WBG) hanno il potenziale per far progredire l'industria globale nello stesso modo in cui, più di 50 anni fa, l'invenzione del chip di silicio (Si) ha dato il via all'era dei computer moderni. I dispositivi basati su SiC e GaN stanno iniziando ad essere disponibili in commercio.

Più piccoli, più veloci e più efficienti dei loro omologhi a base di Si, questi dispositivi WBG offrono anche una maggiore affidabilità prevista in condizioni operative più difficili. Inoltre, in questo contesto, è stata creata una nuova classe di materiali semiconduttori di grado microelettronico che presentano un bandgap ancora più ampio rispetto ai semiconduttori a bandgap ampio precedentemente affermati, come il GaN e il SiC, e sono quindi denominati materiali "a bandgap ultra-largo". Questi materiali, che comprendono AlGaN, AlN, diamante, Ga2O3 e BN, offrono proprietà teoricamente superiori, tra cui un campo di breakdown critico più elevato, un funzionamento a temperature più elevate e una tolleranza alle radiazioni potenzialmente maggiore.

Questi attributi, a loro volta, rendono possibile l'utilizzo di nuovi dispositivi rivoluzionari per ambienti estremi, come transistor di potenza ad alta efficienza, grazie alla migliore figura di merito di Baliga, interruttori di potenza ad impulsi ad altissima tensione, UV-LED ad alta efficienza ed elettronica. Questo numero speciale si propone di raccogliere articoli di ricerca di alta qualità, comunicazioni brevi e articoli di revisione incentrati sulla progettazione, la fabbricazione e la caratterizzazione avanzata di dispositivi a banda larga.

Il numero speciale pubblicherà anche articoli selezionati dal 43° Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, tenutosi in Francia (WOCSDICE 2019), che riunisce scienziati e ingegneri che lavorano nell'area dei dispositivi e dei circuiti integrati a semiconduttore III-V e altri composti. In particolare, vengono affrontati i seguenti argomenti: - Dispositivi basati su GaN e SiC per applicazioni di potenza e optoelettroniche - Sviluppo di substrati Ga2O3 e crescita di film sottili Ga2O3, drogaggio e dispositivi - Materiali e dispositivi emergenti basati su AlN - Crescita epitassiale, caratterizzazione e dispositivi BN.