Dispositivi avanzati a semiconduttore a bassissima potenza: Progettazione e applicazioni

Titolo originale:

Advanced Ultra Low-Power Semiconductor Devices: Design and Applications

Contenuto del libro:

DISPOSITIVI AVANZATI A SEMICONDUTTORE A BASSISSIMA POTENZA.

Scritto e curato da un team di esperti del settore, questo nuovo importante volume copre ampiamente la progettazione e le applicazioni dei transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido metallico.

Questo nuovo ed eccezionale volume offre una panoramica completa dei componenti a semiconduttore all'avanguardia, pensati per le applicazioni a bassissima potenza. Questi componenti, fondamentali per le fondamenta dei dispositivi elettronici, svolgono un ruolo centrale nel plasmare il panorama dell'elettronica. Con un'attenzione particolare ai dispositivi elettronici emergenti a bassa potenza e alle loro applicazioni in settori quali la comunicazione wireless, il biosensing e i circuiti, questo libro rappresenta una risorsa preziosa per comprendere questo campo dinamico.

Riunendo esperti e ricercatori provenienti da vari settori del settore VLSI, il libro affronta le sfide poste dai dispositivi avanzati a basso consumo. Questo sforzo collaborativo mira a promuovere le innovazioni ingegneristiche e a perfezionare l'implementazione pratica di queste tecnologie. I capitoli specifici approfondiscono argomenti complessi come i Tunnel FET, i circuiti di dispositivi FET a capacità negativa e i FET avanzati adatti a diverse applicazioni circuitali.

Oltre alle discussioni incentrate sui dispositivi, il libro approfondisce le complessità progettuali dei sistemi di memoria a basso consumo, l'affascinante regno del calcolo neuromorfico e la questione cruciale dell'affidabilità termica. Gli autori forniscono una solida base di fisica dei dispositivi e dei circuiti, esplorando al contempo nuovi materiali e architetture, come i transistor costruiti su materiali di canale/dielettrici all'avanguardia. Questa esplorazione è guidata dalla necessità di ottenere sia un consumo minimo di energia che velocità di commutazione ultraveloci, soddisfacendo le incessanti richieste dell'industria dei semiconduttori. Il libro abbraccia concetti come MOSFET, FinFET, GAA MOSFET, i nodi tecnologici a 5 e 7 nm, NCFET, materiali ferroelettrici, oscillazioni in sottosoglia, materiali ad alto contenuto di k, nonché materiali avanzati ed emergenti fondamentali per il futuro dell'industria dei semiconduttori.