Point defects in group IV semiconductors: common structural and physico-chemical aspects
Un modello microscopico autoconsistente di difetti puntiformi singoli e reattivi richiede un collegamento affidabile con le proprietà strutturali, spettroscopiche e termodinamiche dei centri di difetto dedotte sperimentalmente, per consentirne l'identificazione senza ambiguità.
Lo scopo di questo libro è quello di focalizzare l'attenzione sulle proprietà dei difetti nei semiconduttori del quarto gruppo con un approccio fisico-chimico, in grado di dimostrare se il pieno riconoscimento della loro natura chimica potrebbe spiegare diversi problemi incontrati nella pratica o suggerire ulteriori realizzazioni sperimentali o teoriche.
Verrà mostrato quanto possa essere difficile soddisfare le condizioni di autoconsistenza, ancora oggi, dopo oltre quattro decenni di lavoro di ricerca dedicato, soprattutto nel caso dei semiconduttori composti (SiC in questo libro), ma anche nei casi apparentemente più semplici del silicio e del germanio, anche perché i modelli microscopici non tengono conto, a getto, delle interazioni dei difetti nei solidi reali.
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Ultima modifica: 2024.11.08 20:28 (GMT)