Caratterizzazione elettrica e termica di MESFET, HEMT e HBT

Titolo originale:

Electrical and Thermal Characterization of MESFETs, HEMTs and HBTs

Contenuto del libro:

Questo lavoro fornisce una discussione completa della dipendenza dal bias dei parametri del circuito equivalente per i tre dispositivi e un'ampia discussione della dipendenza dalla temperatura.

Il libro tratta dei MESFET incisi e dei MESFET autoallineati con e senza drenaggi leggermente drogati e dei JFET, analizza i circuiti equivalenti dei pHEMTS basati su GaAs e degli HEMT con reticolo di InP e descrive un estrattore di modelli a grande segnale e dipendente dalla temperatura per gli HBT A1GaAs-GaAs. Il libro è destinato a progettisti di circuiti, sviluppatori di processi e dispositivi e ingegneri di test.